SJ 51420.3-2003 半导体集成电路陶瓷针栅阵列外壳详细规范
|
ID： |
937B3D8F3E2A404BAD69474D3917B8E0 |
|
文件大小(MB)： |
1.27 |
|
页数： |
18 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5999 SJ 51420/3—2003,半导体集成电路陶瓷针栅阵列外壳,详细规范,Detail specification of ceramic PGA,for semiconductor integrated circuits,2003-06-04 发布2003-12-0I 实施,中华人民共和国信息产业部批准,SJ 51420/3—2003,刖,本规范是GJB 1420A-99《半导体集成电路外壳总规范》的相关详细规范,本规范由信息产业部电子第四研究所归口,本规范起草单位:江苏省宜兴电子器件总厂,本规范主要起草人:汤纪南、周海翔,r,SJ 51420/3—2003,1范围,半导体集成电路陶瓷针栅阵列外壳详细规范,本规范规定了半导体集成电路陶瓷针栅阵列外壳（本规范指底座）的详细要求.,2引用文件,下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款.凡注日期或版次的引用文件,其后的任何修,改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版,本的可能性,凡不注日期或版次的引用文件,其最新版本适用于本规范キ,GJB 1420A-1999半导体集成电路外壳总规范,、,:宀、いユキ:勺ヤ、丒、、,3要求S -,￡,鼠）,a,"^"7,3 J总则0,“^か尔丒 松‘检修ゆ^> “‘ざ.、 な,ヽ^^ ん好〈《ヤ丒 入"""""セ^^,. 一 , 乃,3 Jザ ツ L丒._3__、 丒貝Kー Tいム吋 へ,半导体集成电路陶賢针栅阵列处壳应符合本规范和GJB 1420A-1999《半导体集成电路外壳总规,范》规定的所有要求ビネ规范的要隶和GJB 1420A —1999不一致时应以本规范为准ス,3-2材料和镀涂/ F \,3. 2.1材料 : J宀,3.2 J.1底板采血氧化铝陶瓷”其氧化铝的含量不应低于90%. …メ 或」,3.212 引线く针ン采用由29铁锲钻合金或4J42铁锲合金,其要求应分别符合GJB142g7收パ:,.ハX - ,セ、* 巨紡--へ,へ,341a）和b）的规定なザ,32 2镀涂 J ー宀f ご湧院不2忘冷やなよな,镀巒叩度乎为セ却m.パ冬……,3. 2. 2 2键合区金层厚度应不小ギ読4 gm,羽线ユ针3;兎爲厚度应ホ小于L3即ノ可采用多层像和,金镀覆结构。、二;一ヽ: 一三:一;,3.2.2.3镀金工艺中所用题电度应不低于99.9%ボ—宀, 一,3.3设计、结构和外彩口に羽セパヌデ这衰落 飞金理苕季浮，，ヽ,3. 3.1外壳的设计和结构应符合GJB 1420A—1999中3.5的规定。 /不二,3.3.2底座结构和外形,如图lay底座结构（正排芯腔面向上）、图.1b）底座结构’（正排芯腔向下）、,3.2. 2,1,簾,■ .’筑なハネ-,、ヘくざ、、中」,」、Y*法.、,乙ごア ?,く叶中,、、、、スー.,卡-,2,ざ、’、8考,叽’，:、/二、,ヾ、Z",ボ,% あ.）デ,、 へ3が ヘベ、,す ス吭 F、,賓.,京,5,V-,图2a）底座结构（交错排列芯腔向上尸ー图2b （交错排列芯腔向下）”ダ腔体尺寸和电气连接按供需双,方协商的图纸, " ジ、… …,…—ー 膿’.,7久,3. 3. 3公差尺寸按GJB 1420A —1999中352的规定;M セ工k,'?ス房一电期通丒”港丒R人パイ,“,メへ「,なせレウ SJ 51420/3—2003,酸&.￡,b） 底座结构（正排芯腔向下）,图1底座结构,2,SJ 51420/3—2003,0.,リ:,城員5 "L Y "- vZ -,はン ,ヽ,*,ナ沁,學笈A,ア冷メ,?4’,、尸,ウ,、艮む,電/X,欠, J,r,’ス,渇,/ " 1,公界ユ 1,’，わ J,SV%S、、,Wo.. o,出』）底座结构q错排列芯腔向上）,4 》MA '- Y 5 二にUI Tl^LALb. ?J,ザ,:後丒,之窓,厶,、卜:、「参$勺,J K亠G翦/、,ヽ,写實朶錯忿,ミ,.,$1 .. ◎,b） 底座结构（交错排列芯腔向下）,「3セ4ギミ,既へピホ員,袋ベ::バこ K公，義マがア,セ衿仁ッ公涕,3,图2 ,底座结构,3,i,SJ 51420/3—2003,3.4外观,3. 4.1部位名称,3.4.1.1密封区一用于封接底座和盖板的封接面,3. 4.1.2芯片粘结区一用于粘接芯片的金属化区域,3. 4,1.3键合区一用于细金属丝压焊的金属化区域,3. 4. 1.4关键键合区——在距键合区端部〇」3 mm的2/3犷X2/3メ的区域,3.4.1.5引线（针）——安装在封装底板上用于电接触的金属引线（针）°,3. 4.1.6焊盘一用于焊接引线（针）的金属化区域,3.4,1,7引出端识别标志区——鉴别第一引出端位置的参考特征区域（例如标记、凹槽、缺口,切角、I,'I,3.4. 2 缺ロ,3. 4. 2.1 深缺口（a） 不应大于 0,76mmXO.761nmX 1.52mm （见图 4） 0,3. 4. 2. 2 浅缺口 （b） 不应大于 2.54mmX2,54mmX 025mm （见图 4） 0,3.4 2.3缺口（c）不应侵入连接区,或暴露任何金属化区域（见图4）,3.4.3裂纹（d）不允许存在（见图4）,图4缺口及裂纹,4,SJ 51420/3—2003,3.4.4凸起和凹坑,3.4.4.1 在密封面上不应大于0.025 mm （见图5） ロ,^0.025mm キスハ,務,ヘッ1:.:,丒丒しセ,乂; Fヘ刀,mm,-z ~ **<,…丒ソp,接收,、ヾ■丒……
……